Description
Description
Le suscepteur de graphite MOCVD est un composant essentiel des systèmes de dépôt chimique en phase vapeur organique (MOCVD) de métaux. Il sert de plate-forme thermiquement conductrice à haute température conçue pour maintenir en toute sécurité et chauffer uniformément les substrats semi-conducteurs pendant la croissance épitaxiale de films minces.
emballage et livraison
Paquet de boîte en bois
fonctionnalité
- Excellente conductivité thermique pour un transfert de chaleur rapide et uniforme
- Haute résistance mécanique et stabilité dimensionnelle dans des conditions extrêmes
- Surface lisse et usinée avec précision pour un placement stable du substrat
- Conçu pour influencer la dynamique du flux de gaz et les gradients thermiques
avantage
- Garantit une épaisseur de film uniforme et une qualité cristalline supérieure dans la couche épi-
- Permet une répétabilité et un rendement élevés du processus grâce à un contrôle stable de la température du substrat
- Prolonge la durée de vie et réduit la contamination par les particules grâce à la résistance à la corrosion
- Maintient l’intégrité structurelle malgré les cycles thermiques répétés, garantissant ainsi la fiabilité du processus
application
- Principalement utilisé dans les réacteurs MOCVD pour la croissance épitaxiale de couches semi-conductrices composées (par exemple GaN, GaAs, InP) sur des substrats tels que le silicium, le carbure de silicium ou le saphir.
- Indispensable pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques (LED, diodes laser) et de semi-conducteurs de puissance à radio-fréquence (RF).
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